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源の測定の単位
Created with Pixso. 300V 4A 30A パルス SMU ユニット P300B 半導体と材料のソース測定

300V 4A 30A パルス SMU ユニット P300B 半導体と材料のソース測定

ブランド名: PRECISE INSTRUMENT
モデル番号: P300B
MOQ: 1 ユニット
配達時間: 2〜8週間
支払条件: T/T
詳細情報
起源の場所:
中国
V範囲:
300mV~300V
I-ラング:
パルスモード: 10nA?? 30A DCモード: 10nA?? 4A
電力制限:
DCモード:最大40W /パルスモード:最大400W
最低の脈拍幅:
200μs
サンプリング率:
100,000 S/S
精度:
00.1%/0.03%
パッケージの詳細:
カートン
供給の能力:
500 SET/MONTH
ハイライト:

300V 4A 30A パルスSMU

,

P300B 源の測定

,

半導体と材料 SMUユニット

製品説明

300V 4A 30A パルス SMU ユニット P300B 半導体と材料のソース測定

P300Bベンチトップパルスソースメーターはハイブリッド信号処理技術を統合し,高精度のアナログフロントエンドとインテリジェントデジタル処理ユニットを組み合わせています.5インチタッチスクリーンは直感的な制御ハブとリアルタイムデータビジュアライゼーションポータルの両方で機能します試験の進行と結果をグラフィカルインターフェイスで監視できる. 最大出力300Vと30Aのパルス電流で, the P300B supports four-quadrant operation to simulate complex electrical scenarios—from forward driving and reverse braking to energy recovery—providing robust technical support for advanced applications in semiconductorsナノ材料,有機電子,印刷電子


製品の特徴

▪ 病気 の 原因超高精度と安定性精度は0.03% (電流1μA1A,全電圧範囲) と拡張範囲 (10nA,100nA,4A,10A,30A) の精度は0.1%です.温度 を 安定 さ せる 回路 や 電磁 遮蔽 装置 は,環境 の 干渉 を 最小 に する.

▪ 病気 の 原因スマートタッチインタラクション:5インチタッチスクリーンでジェスチャー制御 (ズーム,スワイプ) とガイドされたワークフローが 複雑な設定を簡素化します

▪ 病気 の 原因全範囲カバー:測定値 1pA?? 30A (パルスモード), 1pA?? 4A (DCモード), 0?? 300V 自動レンジングで,さまざまなデバイスにシームレスに適応できます.

▪ 病気 の 原因精密パルス制御DDS (ダイレクトデジタル合成) とフィードバックアルゴリズムによる200μs最小パルス幅は,一時応答試験のための安定した振幅,周波数,相を保証する.

▪ 病気 の 原因4つの四角形の柔軟性電気自動車や電源システムにおける エネルギー吸収や二方向電流などの 現実シナリオをシミュレートします

▪ 病気 の 原因カスタマイズできるスキャン:線形/対数式スイープ,複数のセグメントのシーケンス,専門テストのためのユーザー定義パラメータ

▪ 病気 の 原因高級データ分析内蔵ソフトウェアは,I-V/P-V曲線,ヒストグラム,レポートを生成する. 1 クリックでUSBストレージとRS-232/GPIB/LAN経由でリモートデータ共有.


製品パラメータ

ポイント

パラメータ

V範囲

300mV~300V

I-ラング

パルスモード: 10nA?? 30A DCモード: 10nA?? 4A

電力制限

DCモード:最大40W /パルスモード:最大400W

最小パルス幅

200μs

サンプリング率

100,000 S/s

精度

00.1%/0.03%

トリガー:設定可能なI/Oトリガー偏性

I/O トリガーの極度

ディスプレイ

5インチタッチスクリーン

インターフェース

RS-232 GPIB LAN

保存

USB サポート

電源

100~240V AC 50/60Hz


申請

▪ 病気 の 原因半導体研究開発高電圧/高温条件下におけるレジスタ,ダイオード,トランジスタ,および広帯域半導体 (SiC/GaN) の特性.

▪ 病気 の 原因エネルギーと電力システム:太陽電池の効率,電池の充電/放電サイクル,グリッド接続インバーター/コンバーターの信頼性を試験する.

▪ 病気 の 原因センサー:温度/圧力/ガスセンサーの線性,応答時間,および産業/消費者向けアプリケーションの安定性を検証する.

▪ 病気 の 原因先進的な材料:グラフェン/ナノワイヤの伝導性,有機電子インクの性能,柔軟な/着用可能な電子機器を分析する.



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300V 4A 30A パルス SMU ユニット P300B 半導体と材料のソース測定

ブランド名: PRECISE INSTRUMENT
モデル番号: P300B
MOQ: 1 ユニット
パッケージの詳細: カートン
支払条件: T/T
詳細情報
起源の場所:
中国
ブランド名:
PRECISE INSTRUMENT
モデル番号:
P300B
V範囲:
300mV~300V
I-ラング:
パルスモード: 10nA?? 30A DCモード: 10nA?? 4A
電力制限:
DCモード:最大40W /パルスモード:最大400W
最低の脈拍幅:
200μs
サンプリング率:
100,000 S/S
精度:
00.1%/0.03%
最小注文数量:
1 ユニット
パッケージの詳細:
カートン
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2〜8週間
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T/T
供給の能力:
500 SET/MONTH
ハイライト:

300V 4A 30A パルスSMU

,

P300B 源の測定

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半導体と材料 SMUユニット

製品説明

300V 4A 30A パルス SMU ユニット P300B 半導体と材料のソース測定

P300Bベンチトップパルスソースメーターはハイブリッド信号処理技術を統合し,高精度のアナログフロントエンドとインテリジェントデジタル処理ユニットを組み合わせています.5インチタッチスクリーンは直感的な制御ハブとリアルタイムデータビジュアライゼーションポータルの両方で機能します試験の進行と結果をグラフィカルインターフェイスで監視できる. 最大出力300Vと30Aのパルス電流で, the P300B supports four-quadrant operation to simulate complex electrical scenarios—from forward driving and reverse braking to energy recovery—providing robust technical support for advanced applications in semiconductorsナノ材料,有機電子,印刷電子


製品の特徴

▪ 病気 の 原因超高精度と安定性精度は0.03% (電流1μA1A,全電圧範囲) と拡張範囲 (10nA,100nA,4A,10A,30A) の精度は0.1%です.温度 を 安定 さ せる 回路 や 電磁 遮蔽 装置 は,環境 の 干渉 を 最小 に する.

▪ 病気 の 原因スマートタッチインタラクション:5インチタッチスクリーンでジェスチャー制御 (ズーム,スワイプ) とガイドされたワークフローが 複雑な設定を簡素化します

▪ 病気 の 原因全範囲カバー:測定値 1pA?? 30A (パルスモード), 1pA?? 4A (DCモード), 0?? 300V 自動レンジングで,さまざまなデバイスにシームレスに適応できます.

▪ 病気 の 原因精密パルス制御DDS (ダイレクトデジタル合成) とフィードバックアルゴリズムによる200μs最小パルス幅は,一時応答試験のための安定した振幅,周波数,相を保証する.

▪ 病気 の 原因4つの四角形の柔軟性電気自動車や電源システムにおける エネルギー吸収や二方向電流などの 現実シナリオをシミュレートします

▪ 病気 の 原因カスタマイズできるスキャン:線形/対数式スイープ,複数のセグメントのシーケンス,専門テストのためのユーザー定義パラメータ

▪ 病気 の 原因高級データ分析内蔵ソフトウェアは,I-V/P-V曲線,ヒストグラム,レポートを生成する. 1 クリックでUSBストレージとRS-232/GPIB/LAN経由でリモートデータ共有.


製品パラメータ

ポイント

パラメータ

V範囲

300mV~300V

I-ラング

パルスモード: 10nA?? 30A DCモード: 10nA?? 4A

電力制限

DCモード:最大40W /パルスモード:最大400W

最小パルス幅

200μs

サンプリング率

100,000 S/s

精度

00.1%/0.03%

トリガー:設定可能なI/Oトリガー偏性

I/O トリガーの極度

ディスプレイ

5インチタッチスクリーン

インターフェース

RS-232 GPIB LAN

保存

USB サポート

電源

100~240V AC 50/60Hz


申請

▪ 病気 の 原因半導体研究開発高電圧/高温条件下におけるレジスタ,ダイオード,トランジスタ,および広帯域半導体 (SiC/GaN) の特性.

▪ 病気 の 原因エネルギーと電力システム:太陽電池の効率,電池の充電/放電サイクル,グリッド接続インバーター/コンバーターの信頼性を試験する.

▪ 病気 の 原因センサー:温度/圧力/ガスセンサーの線性,応答時間,および産業/消費者向けアプリケーションの安定性を検証する.

▪ 病気 の 原因先進的な材料:グラフェン/ナノワイヤの伝導性,有機電子インクの性能,柔軟な/着用可能な電子機器を分析する.